Approaching Ohmic Contacts for Ideal Monolayer MoS2 Transistors Through Sulfur-Vacancy Engineering

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标题	Approaching Ohmic Contacts for Ideal Monolayer MoS2 Transistors Through Sulfur-Vacancy Engineering 用硫空位工程研究理想单层MoS2晶体管的欧姆接触相关领域单层欧姆接触材料科学理想（伦理）晶体管光电子学硫黄空位缺陷纳米技术凝聚态物理工程物理物理电气工程冶金电压图层（电子）哲学认识论工程类
网址	https://brum.beds.ac.uk/sierra/auth/login?service=https%3a%2...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？ AI识别 10.1002/smtd.202300611 doi
求助人	liyah 在 2023-11-23 20:24:09 发布自北京，悬赏 10 积分
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