标题 |
Comparison of Electrical Performance of Co-Integrated Forksheets and Nanosheets Transistors for the 2nm Technological Node and Beyond
用于2nm技术节点及以后的共集成叉片和纳米片晶体管的电性能比较
相关领域
材料科学
晶体管
光电子学
可靠性(半导体)
电介质
节点(物理)
栅极电介质
薄脆饼
压力(语言学)
阈值电压
电子工程
电压
电气工程
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其它 |
期刊:2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:R. Ritzenthaler; Hans Mertens; Geert Eneman; E. Simoen; E. Bury; et al 出版日期:2021-12-11 |
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