| 标题 |
  Improvement in Bias Stability of IGZO TFT With Etching Stop Structure by UV Irradiation Treatment of Active Layer Island 通过活性层岛的紫外线照射处理提高具有蚀刻停止结构的IGZR薄膜晶体管的偏置稳定性
相关领域
辐照
材料科学
活动层
薄膜晶体管
无定形固体
光电子学
蚀刻（微加工）
图层（电子）
晶体管
紫外线
场效应
纳米技术
化学
电气工程
结晶学
物理
电压
核物理学
工程类
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Cheng-Chao Pan; Shibo Yang; Longlong Chen; Ji‐Feng Shi; Xiang Sun; et al 出版日期：2020-01-01 |
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