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Band Alignment of N- and P- Doped InP at Electrolyte and Ultra High Vacuum Junctions: Fundamental Correlation between the Open Circuit Potential Under Illumination and XPS Photopeak Energy
N-和P-掺杂InP在电解质和超高真空结上的能带排列：光照下开路电位与XPS光泄漏能的基本关系
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期刊： 作者：Pao‐Shin Chu; Mathieu Frégnaux; Nathalie Simon; Arnaud Etchéberry 出版日期：2019-05-26 |
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