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 An electronic synaptic device based on HfO2TiOx bilayer structure memristor with self-compliance and deep-RESET characteristics 基于HfO_2TiOx双层结构忆阻器的自柔度深复位电子突触器件
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期刊：Nanotechnology 作者：Jian Liu; Huafeng Yang; Yang Ji; Zhongyuan Ma; Kunji Chen; et al 出版日期：2018-08-10 |
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