Artificial Synapse Based on a δ-FAPbI3/Atomic-Layer-Deposited SnO2 Bilayer Memristor

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标题	Artificial Synapse Based on a δ-FAPbI3/Atomic-Layer-Deposited SnO2 Bilayer Memristor 基于δ-FAPbI3/原子层沉积SnO2双层忆阻器的人工突触
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c00253
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c00253 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Sang-Uk Lee; So-Yeon Kim; Joo-Hong Lee; Ji Hyun Baek; Jin-Wook Lee; et al 出版日期：2024
求助人	哭泣的又蓝在 2024-04-17 13:29:22 发布自福建，悬赏 10 积分
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