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 High breakdown voltage normally off Ga2O3 transistors on silicon substrates using GaN buffer 使用GaN缓冲液的硅衬底高击穿电压常关Ga2O3晶体管
相关领域
缓冲器（光纤）
光电子学
材料科学
硅
宽禁带半导体
晶体管
击穿电压
电压
电气工程
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Mritunjay Kumar; Vishal Khandelwal; Dhanu Chettri; Ganesh Mainali; Glen Isaac Maciel García; et al 出版日期：2025-05-12 |
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