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 Defect Generation at Charge-Passivated $\hbox{Si}$–$\hbox{SiO}_{2}$ Interfaces by Ultraviolet Light 紫外光电荷钝化的$\HBox{Si}$-$\HBox{SiO}_{2}$界面缺陷的产生
相关领域
钝化
材料科学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Lachlan E. Black; Keith R. McIntosh 出版日期：2010-07-01 |
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