Buried Interface Engineering via Homogenized Two-Dimensional Phase Enables High-Mobility Tin Perovskite Photosynaptic Transistor

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标题	Buried Interface Engineering via Homogenized Two-Dimensional Phase Enables High-Mobility Tin Perovskite Photosynaptic Transistor
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c05338
DOI	10.1021/acs.nanolett.5c05338 doi
其它	期刊：Nano Lett 作者：Zhang BW, He D, Steele JA, Mei T, Feng Z, Wang Z, Zhang C, Ding S, Yang S, Xu H, Lin CH, Lyu M 出版日期：2026-01-01
求助人	动人的乾在 2026-07-05 16:43:40 发布，悬赏 10 积分
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