| 标题 |
  Investigating stability and tunability of quantum dot transport in silicon MOSFETs via the application of electrical stress 通过施加电应力研究硅MOSFET中量子点输运的稳定性和可调谐性
相关领域
材料科学
光电子学
量子点
压力（语言学）
MOSFET
硅
电荷（物理）
库仑阻塞
凝聚态物理
晶体管
物理
电压
量子力学
语言学
哲学
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| 其它 |
期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Joseph Hillier; Kouta Ibukuro; Fayong Liu; Muhammad Husain Khaled; James Byers; et al 出版日期：2021-11-26 |
| 求助人 |
qiuyechenmeng
在
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