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标题
Effect of dual-channel structures on DC characteristics of vertical trench GaN-based MOSFETs
双沟道结构对垂直沟槽GaN基MOSFET直流特性的影响
相关领域
沟槽 对偶（语法数字） 频道（广播） 材料科学 光电子学 MOSFET 工程物理 电气工程 物理 纳米技术 工程类 晶体管 电压 图层（电子） 艺术 文学类
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/adce26
DOI
10.1088/1361-6641/adce26 doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Fan Yang; Xinxin Li; Yuke Ren; Shuti Li; Shuwen Zheng
出版日期：2025-04-17
求助人
顺顺 在 2025-07-30 11:22:13 发布自北京，悬赏 10 积分
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