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![]() 利用MOVPE直接在(211)Si衬底上生长CdTe外延层中位错密度降低策略
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期刊:Journal of Materials Science Materials in Electronics 作者:M. Niraula; B. S. Chaudhari; R. Okumura; Yuki Takagi 出版日期:2023-12-26 |
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英俊的铭
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