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Identification of Trap States in p-GaN Layer of a p-GaN/AlGaN/GaN Power HEMT Structure by Deep-Level Transient Spectroscopy
p-GaN/AlGaN/GaN功率HEMT结构p-GaN层陷阱态的深能级瞬态谱识别
相关领域
深能级瞬态光谱
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
肖特基势垒
氮化镓
宽禁带半导体
异质结
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Song Yang; Sen Huang; Jin Wei; Zheyang Zheng; Yuru Wang; et al 出版日期:2020-03-12 |
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