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 Nonresonant Terahertz Detector Based on Improved N‐Polar AlGaN/GaN Plasma Wave High‐Electron‐Mobility Transistors 基于改进N极AlGaN/GaN等离子体波高电子迁移率晶体管的非共振太赫兹探测器
相关领域
高电子迁移率晶体管
响应度
光电子学
材料科学
太赫兹辐射
极地的
晶体管
等离子体
探测器
泄漏（经济）
光学
物理
光电探测器
电压
天文
量子力学
经济
宏观经济学
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期刊：physica status solidi (b) 作者：Yang Dai; R. Z. Yuan; Yukun Li; Leiyu Gao; Yiting Zhang; et al 出版日期：2024-08-26 |
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