Simultaneous generation of intersubband absorption and quantum well intermixing through silicon ion implantation in undoped InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells

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标题	Simultaneous generation of intersubband absorption and quantum well intermixing through silicon ion implantation in undoped InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells 非掺杂InGaAs/AlAsSb耦合双量子阱中硅离子注入同时产生子带间吸收和量子阱混合相关领域量子阱离子注入光电子学硅材料科学砷化镓退火（玻璃）离子吸收（声学）化学光学物理激光器有机化学复合材料
网址	https://doi.org/10.1063/1.3357433
DOI	10.1063/1.3357433 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Guangwei Cong; R. Akimoto; Shin-ichiro Gozu; T. Mozume; Toshifumi Hasama; et al 出版日期：2010-03-08
求助人	123 在 2025-06-06 15:58:15 发布自山东，悬赏 10 积分
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