Inner‐Layer Indium Doping Achieved Highly Active and Stable Sulfur Vacancies in MoS2 for Superior Sulfur Redox Kinetics

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标题	Inner‐Layer Indium Doping Achieved Highly Active and Stable Sulfur Vacancies in MoS2 for Superior Sulfur Redox Kinetics 内层铟掺杂在MoS2中实现了高活性和稳定的硫空位，具有优异的硫氧化还原动力学
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202415986
DOI	10.1002/adma.202415986 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Qingbin Jiang; Huifang Xu; Kwan San Hui; Yijie Wei; Lingwen Liu; et al 出版日期：2025
求助人	lzw123456 在 2025-06-21 14:15:16 发布自吉林，悬赏 10 积分
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