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 Single-event transient characteristics of vertical gate-all-around junctionless field-effect transistor on bulk substrate 体衬底上垂直栅全方位无结场效应晶体管的单事件瞬态特性
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期刊：Applied Physics A 作者：Young Jun Yoon; Jae Sang Lee; In Man Kang; Dong‐Seok Kim 出版日期：2021-01-07 |
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