Significant improvement of breakdown voltage of Al0.86Ga0.14N Schottky barrier diodes by atomic layer etching

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标题	Significant improvement of breakdown voltage of Al0.86Ga0.14N Schottky barrier diodes by atomic layer etching
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0251499
DOI	10.1063/5.0251499 doi
求助人	奔跑的巳在 2026-04-01 15:53:23 发布自广东，悬赏 10 积分
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