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  The Topological Hall Effect in CoGd Films Controlled by Hydrogen Migration under Gate Voltage 栅压下氢迁移控制CoGd薄膜的拓扑霍尔效应
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Xue Ren; Liang Liu; Bin Cui; Bin Cheng; Xiangxiang Zhao; et al 出版日期：2024-03-18 |
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好好
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