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  Lateral Selective SiGe Growth for Local Dislocation-Free SiGe-on-Insulator Virtual Substrate Fabrication 用于绝缘体上无局域位错SiGe虚拟衬底制造的横向选择性SiGe生长
相关领域
材料科学
位错
基质（水族馆）
绝缘体上的硅
制作
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Ketan Anand; Michael Schubert; Agnieszka Anna Corley‐Wiciak; Davide Spirito; Cedric Corley‐Wiciak; et al 出版日期：2023-01-30 |
| 求助人 |
feifei7525
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feifei7525
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