Impact of HfO2 Dielectric Layer Placement in Hf0.5Zr0.5O2‐Based Ferroelectric Tunnel Junctions for Neuromorphic Applications

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标题	Impact of HfO2 Dielectric Layer Placement in Hf0.5Zr0.5O2‐Based Ferroelectric Tunnel Junctions for Neuromorphic Applications
网址	https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/adm...
DOI	10.1002/admt.202400050 doi
其它	期刊：Advanced Materials Technologies 作者：Juri Kim; Yongjin Park; Jungwoo Lee; Eunjin Lim; Jung-Kyu Lee; et al 出版日期：暂无
求助人	风移在 2026-07-18 22:05:04 发布自山东，悬赏 10 积分
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