| 标题 |
书籍(章节) Toward new ferroelectric nitride materials and devices: Aluminum boron nitride and aluminum scandium nitride ferroelectric high electron mobility transistors (FerroHEMTs) 新型铁电氮化物材料和器件:氮化硼铝和氮化钪铝铁电高电子迁移率晶体管
相关领域
氮化物
材料科学
氮化硼
铁电性
光电子学
铝
晶体管
纳米技术
复合材料
电气工程
电介质
工程类
图层(电子)
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Semiconductors and semimetals 作者:Joseph Casamento; John Hayden; Susan Trolier‐McKinstry; Jon‐Paul Maria; Thai‐Son Nguyen; et al 出版日期:2023-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)