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Impact of Layout Parameter Mismatches on Short Circuit Reliability of Parallel-Connected Planar, Trench, and Double-Trench SiC MOSFETs 布局参数失配对并联平面、沟槽和双沟槽SiC MOSFET短路可靠性的影响
相关领域
沟槽
平面的
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期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者:Renze Yu; Saeed Jahdi; Konstantinos Floros; Ingo Lüdtke; Phil Mellor 出版日期:2024-07-22 |
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