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 Correlation between changeover from weak antilocalization (WAL) to weak localization (WL) and positive to negative magnetoresistance in S-doped Bi1.5Sb0.5Te1.3Se1.7 S掺杂Bi1.5Sb 0.5 Te 1.3 Se1.7中弱反局域化（WAL）到弱局域化（WL）转变与正磁阻到负磁阻的相关性
相关领域
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弱局部化
凝聚态物理
去相
角分辨光电子能谱
散射
X射线光电子能谱
光电发射光谱学
磁场
兴奋剂
材料科学
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物理
电子结构
核磁共振
量子力学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Mahima Singh; Labanya Ghosh; Vinod K. Gangwar; Yogendra Kumar; Debarati Pal; et al 出版日期：2022-07-18 |
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