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  Low Voltage Operating 2D MoS2 Ferroelectric Memory Transistor with Hf1-xZrxO2 Gate Structure 具有Hf1-xZrxO2栅极结构的低压工作二维MoS2铁电存储器晶体管
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期刊：Nanoscale Research Letters 作者：Siqing Zhang; Yan Liu; Jiuren Zhou; Meng Ma; Anyuan Gao; et al 出版日期：2020-08-02 |
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