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标题
Effect of Reaction Mechanism on Precursor Exposure Time in Atomic Layer Deposition of Silicon Oxide and Silicon Nitride
氧化硅和氮化硅原子层沉积中反应机理对前驱体曝光时间的影响
相关领域
硅 原子层沉积 材料科学 氮化硅 氧化硅 氧化物 硅烷 氮化物 应变硅 物理吸附 化学吸附 反应性（心理学） 硅烷 机车 化学工程 表面改性 薄膜 无机化学 图层（电子） 纳米技术 晶体硅 化学 催化作用 有机化学 光电子学 复合材料 冶金 替代医学 病理 工程类 医学 非晶硅
网址
https://doi.org/10.1021/am5021167
AI链接 handle.net ucc.ie nih.govdoi.org
DOI
10.1021/am5021167 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Ciaran Murray; Simon D. Elliott; Dennis M. Hausmann; Jon Henri; Adrien R. Lavoie
出版日期：2014-06-10
求助人
wang 在 2025-06-10 00:11:31 发布自陕西，悬赏 10 积分
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