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Subthreshold Drain Current Model of Cylindrical Gate All‐Around Junctionless Transistor With Three Different Gate Materials 三种不同栅极材料圆柱栅全方位无结晶体管的亚阈值漏极电流模型
相关领域
阈下传导
材料科学
晶体管
光电子学
阈下斜率
电流(流体)
电气工程
MOSFET
工程类
电压
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| 其它 |
期刊:International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者:S. Manikandan; P. Suveetha Dhanaselvam; M. Karthigai Pandian 出版日期:2024-10-27 |
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