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 Influence of the Deposition Temperature on the c-Si Surface Passivation by Al[sub 2]O[sub 3] Films Synthesized by ALD and PECVD 沉积温度对ALD和PECVD合成Al[sub 2]O[sub 3]薄膜对c-Si表面钝化的影响
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期刊：Electrochemical and Solid State Letters 作者：G Gijs Dingemans; van de Mcm Richard Sanden; Wmm Erwin Kessels 出版日期：2010-01-01 |
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