Low-temperature deuterium annealing to improve performance and reliability in a MOSFET

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标题	Low-temperature deuterium annealing to improve performance and reliability in a MOSFET 提高MOSFET性能和可靠性的低温氘退火相关领域退火（玻璃） MOSFET 材料科学氘可靠性（半导体）工程物理可靠性工程光电子学分析化学（期刊）冶金核物理学化学热力学电气工程工程类物理晶体管环境化学功率（物理）电压
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108421
DOI	10.1016/j.sse.2022.108421 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：Ji‐Man Yu; Dong-Hyun Wang; Ja-Yun Ku; Joon‐Kyu Han; Daehan Jung; et al 出版日期：2022-07-21
求助人	大安吉在 2025-08-29 13:05:46 发布，悬赏 10 积分
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