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标题
Low-temperature deuterium annealing to improve performance and reliability in a MOSFET
提高MOSFET性能和可靠性的低温氘退火
相关领域
退火(玻璃) MOSFET 材料科学 可靠性(半导体) 工程物理 可靠性工程 光电子学 分析化学(期刊) 冶金 核物理学 化学 热力学 电气工程 工程类 物理 晶体管 环境化学 电压 功率(物理)
网址
DOI
10.1016/j.sse.2022.108421 doi
其它 期刊:Solid-State Electronics
作者:Ji‐Man Yu; Dong-Hyun Wang; Ja-Yun Ku; Joon‐Kyu Han; Daehan Jung; et al
出版日期:2022-07-21
求助人
大安吉 在 2025-08-29 13:05:46 发布自海南,悬赏 10 积分
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  • 11个月前

    大安吉 大安吉 Lv3 求助人 发起了本次求助

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