Alteration of Electronic Band Structure via a Metal–Semiconductor Interfacial Effect Enables High Faradaic Efficiency for Electrochemical Nitrogen Fixation

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标题	Alteration of Electronic Band Structure via a Metal–Semiconductor Interfacial Effect Enables High Faradaic Efficiency for Electrochemical Nitrogen Fixation 通过金属——半导体界面效应改变电子能带结构，实现电化学固氮的高法拉第效率相关领域法拉第效率异质结费米能级材料科学可逆氢电极带材弯曲电化学半导体纳米技术电催化剂催化作用化学物理氧化还原吸附电子能带结构电极光电子学化学凝聚态物理物理化学电子工作电极物理量子力学冶金生物化学
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.1c08652
DOI	10.1021/acsnano.1c08652 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Ashmita Biswas; Surajit Nandi; Navpreet Kamboj; Jaysree Pan; Arghya Bhowmik; et al 出版日期：2021-12-13
求助人	Litianxue 在 2024-05-10 16:22:57 发布自贵州，悬赏 10 积分
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