Stress-induced transformation of defects in homoepitaxial beryllium-doped GaAs thin films

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标题	Stress-induced transformation of defects in homoepitaxial beryllium-doped GaAs thin films 同质外延掺铍GaAs薄膜中缺陷的应力诱导转变相关领域铍材料科学兴奋剂薄膜凝聚态物理基质（水族馆）晶格常数分析化学（期刊）光电子学化学光学纳米技术衍射物理地质学有机化学海洋学色谱法
网址	https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00812-2
DOI	10.1016/s0921-4526(01)00812-2 doi
其它	期刊：Physica. B, Condensed matter 作者：J. Ba̧k‐Misiuk; A. Misiuk; К. С. Журавлев; J. Z. Domagała; J. Adamczewska; et al 出版日期：2001-12-01
求助人	碧蓝的母鸡在 2024-04-30 16:45:05 发布自山东，悬赏 10 积分
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