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 Surface flattening of 4H-SiC (0001) epitaxial wafers by high temperature oxidation 4H-SiC（0001）外延片的高温氧化平整
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Siqi Zhao; Jiulong Wang; Guoguo Yan; Zhanwei Shen; Wanshun Zhao; et al 出版日期：2022-08-24 |
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