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Robustness Analysis of 1200-V IGBT Under Extremely High-Gate Voltage Stress 极高栅极电压应力下1200-V IGBT鲁棒性分析
相关领域
绝缘栅双极晶体管
稳健性(进化)
材料科学
逻辑门
电压
压力(语言学)
电气工程
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光电子学
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化学
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生物化学
基因
哲学
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Peng Liao; Hang Xu; Jianbin Guo; Xin-Ru Chen; Changhao Wang; et al 出版日期:2025-03-04 |
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