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[高分] Ultra‐thin Body Buried In 0.35 Ga 0.65 As Channel MOSFETs with Extremely Low Off‐current on Si Substrates
埋在0.35 Ga 0.65 As沟道MOSFET中的超薄体，在Si衬底上具有极低截止电流
相关领域
材料科学 退火（玻璃） 光电子学 堆栈（抽象数据类型） 铟 MOSFET 晶体管 电气工程 冶金 计算机科学 工程类 电压 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1049/cje.2021.07.024
DOI
10.1049/cje.2021.07.024 doi
其它 期刊：Chinese Journal of Electronics
作者：Bo Wang; Peng Ding; Ruize Feng; Yanfu Wang; Xiaoyu Liu; et al
出版日期：2021-11-01
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jeffrey 在 2025-08-27 06:31:44 发布，悬赏 100 积分
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