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  Hole-Doping-Induced Perpendicular Magnetic Anisotropy and High Curie Temperature in a CrSX (X = Cl, Br, I) Semiconductor Monolayer CrSX（X=Cl，Br，I）半导体单层中空穴掺杂诱导的垂直磁各向异性和高居里温度
相关领域
自旋电子学
凝聚态物理
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材料科学
铁磁性
单层
兴奋剂
磁性半导体
磁化
磁各向异性
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物理
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期刊：Nanomaterials 作者：R. Han; Xiaomin Xue; Yu Yan 出版日期：2023-12-08 |
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