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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管击穿特性研究
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作者：李晓平 摘要：第三代宽禁带半导体材料GaN是一种直接带隙半导体材料,并且GaN材料具有一系列优良的特性,如禁带宽度大,击穿电场强,电子饱和速度高等,特别的,GaN材料的Johnson品质因数和Baliga品质因数很高,因此GaN材料注定会成为高频高功率应用以及高温高压器件的理想材料.虽然AlGaN/GaN HEMT器件近几十年在理论和应用方面都取得了令人瞩目的成就,但器件仍然有较大的栅泄漏电流和较低的击穿电压,这限制了器件的性能和实际应用.目前所能获得的AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压值远远小于GaN的理论极限,因此研究器件的击穿机制及相应的改善方法对研究和应用来说都是非常重要的. ... 关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 击穿电压值 泄漏电流 可靠性 数值仿真 出版时间：2014 |
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