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 A Floating‐Gate‐Like Transistor Based on InSe vdW Heterostructure with High‐Performance Synaptic Characteristics 基于InSe vdW异质结构的高性能突触型浮栅晶体管
相关领域
神经形态工程学
长时程增强
材料科学
光电子学
兴奋性突触后电位
突触可塑性
神经促进
突触后电位
晶体管
瓶颈
神经科学
突触
异质结
计算机科学
电气工程
化学
电压
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生物
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生物化学
抑制性突触后电位
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期刊：Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者：Jiachen Wang; Qilitai Wang; Qian Chen; Ting Lei; Weiming Lv; et al 出版日期：2022-04-30 |
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