标题 |
Effects of Doping, Stress, and Thickness on the Piezoelectric Response and Its Relation with Polarization in Ferroelectric HfO2
掺杂、应力和厚度对铁电HfO2压电响应的影响及其与极化的关系
相关领域
压电响应力显微镜
铁电性
压电
材料科学
正交晶系
兴奋剂
压电系数
极化(电化学)
凝聚态物理
相(物质)
光电子学
复合材料
光学
衍射
化学
电介质
物理
有机化学
物理化学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS Applied Electronic Materials 作者:Huan Tan; Saúl Estandía; F. Sánchez; Ignasi Fina 出版日期:2023-12-02 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|