Study of the impact of doping concentration and Schottky barrier height on ohmic contacts to n-type germanium

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标题	Study of the impact of doping concentration and Schottky barrier height on ohmic contacts to n-type germanium 掺杂浓度和肖特基势垒高度对n型锗欧姆接触影响的研究相关领域欧姆接触锗肖特基势垒掺杂剂材料科学兴奋剂接触电阻退火（玻璃）光电子学纳米技术硅冶金二极管图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.mee.2012.12.020
DOI	10.1016/j.mee.2012.12.020 doi
其它	期刊：Microelectronic engineering 作者：Andrea Firrincieli; Koen Martens; Eddy Simoen; C. Claeys; J. A. Kittl 出版日期：2013-06-01
求助人	wisliudj 在 2024-05-14 17:24:35 发布自广东，悬赏 10 积分
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