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 Complementary use of atom probe tomography (APT) and differential hall effect metrology (DHEM) for activation loss in phosphorus-implanted polycrystalline silicon 原子探针层析成像（APT）和差分霍尔效应计量（DHEM）在磷注入多晶硅激活损耗中的互补应用
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期刊：Scripta materialia 作者：Kun‐Lin Lin; Fa-Yan Lee; Yi-Meng Chen; Yu-Jen Tseng; Hung‐Wei Yen 出版日期：2024-03-01 |
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