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Fabrication and Characterization of In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As Composite Channel Metamorphic HEMTs (mHEMTs) on a GaAs Substrate
GaAs衬底上In0.53Ga 0.47 As/InAs/In0.53Ga 0.47 As复合通道变质HEMTs的制备与表征
相关领域
材料科学
光电子学
基质(水族馆)
制作
砷化镓
晶体管
电气工程
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医学
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期刊:Micromachines 作者:Seung Heon Shin; Jae Hyeok Shim; Hyunchul Jang; Jae‐Hyung Jang 出版日期:2022-12-25 |
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