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 Understanding Indium Nitride Thin Film Growth Under ALD Conditions by Atomic Scale Modelling: From the Bulk to the In-rich Layer 用原子尺度模型理解ALD条件下氮化铟薄膜的生长：从体层到富In层
相关领域
三甲基铟
原子层沉积
氮化铟
薄膜
铟
化学
离解（化学）
氮化硼
从头算
三甲基镓
原子单位
纳米技术
化学工程
材料科学
氮化物
计算化学
图层（电子）
物理化学
有机化学
金属有机气相外延
工程类
物理
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期刊：Applied Surface Science 作者：Giane Damas; Karl Rönnby; Henrik C. Pedersen; Lars Ojamäe 出版日期：2022-04-01 |
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