ESD-PCM: Constructing Reliable Super Dense Phase Change Memory Under Write Disturbance

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标题	ESD-PCM: Constructing Reliable Super Dense Phase Change Memory Under Write Disturbance ESD-PCM：在写扰动下构建可靠的超密集相变存储器相关领域相变存储器计算机科学可扩展性架空（工程）嵌入式系统能源消耗内存刷新可靠性（半导体）节点（物理）延迟（音频）功率消耗计算机硬件半导体存储器功率（物理）计算机存储器电气工程相变工程类电信操作系统物理结构工程量子力学工程物理
网址	https://doi.org/10.1109/ets50041.2021.9465381
DOI	10.1109/ets50041.2021.9465381 doi
其它	期刊：作者：Wenke Jin; Siqi Lu; Xiaojun Cai 出版日期：2021-05-24
求助人	克姑美在 2025-06-06 14:08:47 发布自吉林，悬赏 10 积分
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