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Demonstration of Vertical GaN Schottky Barrier Diode With Robust Electrothermal Ruggedness and Fast Switching Capability by Eutectic Bonding and Laser Lift-Off Techniques 通过共晶键合和激光剥离技术演示具有鲁棒电热鲁棒性和快速开关能力的垂直GaN肖特基势垒二极管
相关领域
材料科学
光电子学
肖特基二极管
共晶体系
整改
共金键结
肖特基势垒
二极管
Lift(数据挖掘)
薄脆饼
基质(水族馆)
氮化镓
电压
电气工程
复合材料
图层(电子)
合金
地质学
工程类
数据挖掘
计算机科学
海洋学
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期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者:Qi Wei; Feng Zhou; Weizong Xu; Fangfang Ren; Dong Zhou; et al 出版日期:2022-01-01 |
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