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 Effect of Buffer Layer on Epitaxial Growth of YSZ Deposited on Si Substrate by Slower Q-switched 266 nm YAG Laser 缓冲层对慢速调Q 266nm YAG激光在Si衬底上外延生长YSZ的影响
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Satoru Kaneko; Kensuke Akiyama; Yoshitada Shimizu; Takeshi Ito; Shinji Yasaka; et al 出版日期：2004-04-01 |
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