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Highly Reliable Memory Operation of High-Density Three-Terminal Thyristor Random Access Memory 相关领域
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期刊:Nanoscale Research Letters 作者:Hyangwoo Kim; Hyeonsu Cho; Hyeon-Tak Kwak; Myunghae Seo; Seungho Lee; et al 出版日期:2022-02-23 |
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