Highly Reliable Memory Operation of High-Density Three-Terminal Thyristor Random Access Memory

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标题	Highly Reliable Memory Operation of High-Density Three-Terminal Thyristor Random Access Memory 相关领域数据保留德拉姆备用电源电压动态随机存取存储器计算机科学静态随机存取存储器材料科学晶闸管电气工程内存刷新计算机硬件内存控制器半导体存储器光电子学计算机存储器工程类
网址	https://nanoscalereslett.springeropen.com/track/pdf/10.1186/...
DOI	10.1186/s11671-022-03667-7 doi
其它	期刊：Nanoscale Research Letters 作者：Hyangwoo Kim; Hyeonsu Cho; Hyeon-Tak Kwak; Myunghae Seo; Seungho Lee; et al 出版日期：2022-02-23
求助人	zhang 在 2026-01-08 22:55:25 发布自青海，悬赏 10 积分
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