Impact of chamber pressure and Si-doping on the surface morphology and electrical properties of homoepitaxial (100) β-Ga2O3 thin films grown by MOVPE

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标题	Impact of chamber pressure and Si-doping on the surface morphology and electrical properties of homoepitaxial (100) β-Ga2O3 thin films grown by MOVPE 相关领域分析化学（期刊）燃烧室压力兴奋剂材料科学外延电子迁移率薄膜金属有机气相外延霍尔效应体积流量二次离子质谱法离子电阻率和电导率化学光电子学纳米技术图层（电子）冶金工程类有机化学物理电气工程量子力学色谱法
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/abb6aa
DOI	10.1088/1361-6463/abb6aa doi
求助人	意兴不阑珊在 2026-04-09 19:20:10 发布自浙江，悬赏 10 积分
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