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A simulation study of 7 nm Si-based Multiple Gate Material Nanosheet Field Effect Transistors 7 nm硅基多栅材料纳米片场效应晶体管的模拟研究
相关领域
纳米片
场效应晶体管
材料科学
晶体管
领域(数学)
光电子学
纳米技术
电气工程
工程类
数学
电压
纯数学
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| 其它 |
期刊:Semiconductors 作者:Shankhamitra Sunani; S. S. Mahato; N. K. Sahoo; Asisa Kumar Panigrahy; Raghunandan Swain 出版日期:2025-07-01 |
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(2025-6-4)