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 Demonstration of a Stacked CMOS Inverter at 60nm Gate Pitch with Power Via and Direct Backside Device Contacts 演示具有功率过孔和直接背面器件触点的60nm栅极间距的堆叠CMOS反相器
相关领域
CMOS芯片
逆变器
材料科学
光电子学
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电气工程
功率（物理）
与非门
工程类
物理
栅氧化层
电压
量子力学
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