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Bandgap engineering and Schottky barrier modulation of ultra-wide bandgap Si-doped β-(AlxGa1-x)2O3 single crystal
超宽带隙Si掺杂β-(AlxGa1-x)2O3单晶的带隙工程与肖特基势垒调制
相关领域
材料科学
带隙
兴奋剂
肖特基势垒
单晶
光电子学
结晶学
二极管
化学
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其它 |
期刊:Journal of materials chemistry. C 作者:Yiyuan Liu; Qiming He; Wenxiang Mu; Zhitai Jia; Guangwei Xu; et al 出版日期:2024-01-01 |
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